창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RAVF164DJT180R | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RAVF Series Resistor Packaging Spec | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| 주요제품 | RAVF Series Convex Termination Chip Resistor Array | |
| PCN 부품 번호 | Global Part Number 9/Aug/2010 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
| 제조업체 | Stackpole Electronics Inc. | |
| 계열 | RAVF | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 저항(옴) | 180 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 저항기 개수 | 4 | |
| 핀 개수 | 8 | |
| 소자별 전력 | 62.5mW | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 응용 제품 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 1206(3216 미터법), 볼록형, 장측 단자 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
| 높이 | 0.024"(0.60mm) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | RAV 164D 180 5% R RAV164D1805%R RAV164D1805%R-ND RAV164D180JR RAV164D180JR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RAVF164DJT180R | |
| 관련 링크 | RAVF164D, RAVF164DJT180R 데이터 시트, Stackpole Electronics Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 416F480X3AKT | 48MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F480X3AKT.pdf | |
![]() | MP6-2M-1L-1M-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2M-1L-1M-00.pdf | |
![]() | MOC3052S | Optoisolator Triac Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | MOC3052S.pdf | |
![]() | AM29F010-90EC | AM29F010-90EC AMD TSOP | AM29F010-90EC.pdf | |
![]() | TDA8847/N2/S1 | TDA8847/N2/S1 PHILIPS DIP-56 | TDA8847/N2/S1.pdf | |
![]() | SFW4R-2STE1-LF | SFW4R-2STE1-LF FCI SMD | SFW4R-2STE1-LF.pdf | |
![]() | CIL10J1R8MNC | CIL10J1R8MNC SAMSUNG SMD | CIL10J1R8MNC.pdf | |
![]() | S1119V1-3-2 | S1119V1-3-2 SAMSUNG SMD or Through Hole | S1119V1-3-2.pdf | |
![]() | TMC57070CFT-WC | TMC57070CFT-WC TI QFP | TMC57070CFT-WC.pdf | |
![]() | GL6551P | GL6551P LG SMD or Through Hole | GL6551P.pdf | |
![]() | 74HC40105D653 | 74HC40105D653 NXP 16SOIC | 74HC40105D653.pdf |