창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RAL035P01TCR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RAL035P01 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 42m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | TUMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RAL035P01TCR | |
| 관련 링크 | RAL035P, RAL035P01TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R9DXAAC | 1.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R9DXAAC.pdf | |
![]() | RT1210FRD079K1L | RES SMD 9.1K OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD079K1L.pdf | |
![]() | CMF6548K700FHR611 | RES 48.7K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6548K700FHR611.pdf | |
![]() | HIFN7814-WPB4 | HIFN7814-WPB4 HIFN SMD or Through Hole | HIFN7814-WPB4.pdf | |
![]() | FZEG | FZEG ORIGINAL 3SOT-23 | FZEG.pdf | |
![]() | N2012Z121T03T | N2012Z121T03T ORIGINAL O805 | N2012Z121T03T.pdf | |
![]() | TPS622(F) | TPS622(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | TPS622(F).pdf | |
![]() | NCP303LSN33T1 | NCP303LSN33T1 ON SMD or Through Hole | NCP303LSN33T1.pdf | |
![]() | 293D476X0004A2TE3 | 293D476X0004A2TE3 VISHAY SMD or Through Hole | 293D476X0004A2TE3.pdf | |
![]() | ADL5562ACPZ-R7 | ADL5562ACPZ-R7 ADI 16-LFCSP | ADL5562ACPZ-R7.pdf | |
![]() | VS-20TQ045 | VS-20TQ045 VISHAY TO-220 | VS-20TQ045.pdf | |
![]() | CXC6650 | CXC6650 HWCAT DIP | CXC6650.pdf |