창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R87C196JQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | R87C196JQ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | CPLCC | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | R87C196JQ | |
| 관련 링크 | R87C1, R87C196JQ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | FK26X5R0J685K | 6.8µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 방사 0.217" L x 0.138" W(5.50mm x 3.50mm) | FK26X5R0J685K.pdf | |
![]() | 416F38423CTR | 38.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38423CTR.pdf | |
![]() | ASPI-3012S-R82N-T | 820nH Shielded Wirewound Inductor 2.47A 30 mOhm Nonstandard | ASPI-3012S-R82N-T.pdf | |
![]() | LQW2BASR18G00L | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 640 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | LQW2BASR18G00L.pdf | |
![]() | ASVP-1.544MHZ | ASVP-1.544MHZ ABRACON ASVP-1.544MHZ(57) | ASVP-1.544MHZ.pdf | |
![]() | K4E661611E-TC50 | K4E661611E-TC50 SAMSUNG TSOP | K4E661611E-TC50.pdf | |
![]() | 477 6.3V 10% D | 477 6.3V 10% D avetron 2011 | 477 6.3V 10% D.pdf | |
![]() | NCP1216D100 | NCP1216D100 ON SOP-8 | NCP1216D100.pdf | |
![]() | SD417AK2 | SD417AK2 sawnics SMD or Through Hole | SD417AK2.pdf | |
![]() | MFS1/4DLT52A 51R0F | MFS1/4DLT52A 51R0F AUK NA | MFS1/4DLT52A 51R0F.pdf | |
![]() | CRS10000FV | CRS10000FV HOKURIKU SMD | CRS10000FV.pdf | |
![]() | S7281 | S7281 INTEL CDIP | S7281.pdf |