창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R806P2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | R806P2 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | TO-220-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | R806P2 | |
| 관련 링크 | R80, R806P2 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ECQ-V1153JM | 0.015µF Film Capacitor 100V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.295" L x 0.126" W (7.50mm x 3.20mm) | ECQ-V1153JM.pdf | |
![]() | SCRN251R-F | 3µF Film Capacitor 2000Vpk (2KVPK) Paper, Metallized Radial, Can 2.910" L x 1.910" W (73.91mm x 48.51mm), Lip | SCRN251R-F.pdf | |
![]() | 416F374XXCDT | 37.4MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F374XXCDT.pdf | |
![]() | IPG16N10S461AATMA1 | MOSFET 2N-CH 8TDSON | IPG16N10S461AATMA1.pdf | |
![]() | SBCP-80HY470H | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 1.9A 130 mOhm Max Radial, Vertical Cylinder | SBCP-80HY470H.pdf | |
![]() | 500403B00 | 500403B00 AAVID/WSI SMD or Through Hole | 500403B00.pdf | |
![]() | CR1/16S1ROJV | CR1/16S1ROJV HOKURIKU SMD or Through Hole | CR1/16S1ROJV.pdf | |
![]() | LAS8100P | LAS8100P SC TO-220 5 | LAS8100P.pdf | |
![]() | DIFP | DIFP ORIGINAL SMD or Through Hole | DIFP.pdf | |
![]() | LOC110L | LOC110L CLARE DIP6 | LOC110L.pdf | |
![]() | DG381CJ-4 | DG381CJ-4 HARRIS DIP | DG381CJ-4.pdf | |
![]() | K6F2016R4E-EF70 | K6F2016R4E-EF70 SAMSUNG SMD or Through Hole | K6F2016R4E-EF70.pdf |