창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R6046FNZ1C9 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | R6046FNZ1 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 23A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6230pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 120W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 450 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | R6046FNZ1C9 | |
관련 링크 | R6046F, R6046FNZ1C9 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
F0603SB3000V032T | F0603SB3000V032T AEM SMD or Through Hole | F0603SB3000V032T.pdf | ||
LT1435ACG | LT1435ACG LINEAR SSOP-16 | LT1435ACG.pdf | ||
LT3695EMSE#PBF/IM/HM | LT3695EMSE#PBF/IM/HM LT MSOP16 | LT3695EMSE#PBF/IM/HM.pdf | ||
EEGB2G272GHE | EEGB2G272GHE Panasonic DIP | EEGB2G272GHE.pdf | ||
FMB36M | FMB36M Sanken 3P | FMB36M.pdf | ||
EGN14-02 | EGN14-02 FUJI SMD or Through Hole | EGN14-02.pdf | ||
QG82945GC QU69ES | QG82945GC QU69ES INTEL BGA | QG82945GC QU69ES.pdf | ||
2SA1235-T12-1F TEL:82766440 | 2SA1235-T12-1F TEL:82766440 SANYO SMD or Through Hole | 2SA1235-T12-1F TEL:82766440.pdf | ||
AD9800/1 | AD9800/1 AD TQFP | AD9800/1.pdf | ||
OSC-1550H(11.0592MHZ) | OSC-1550H(11.0592MHZ) LAMBDA SMD or Through Hole | OSC-1550H(11.0592MHZ).pdf | ||
DTM6C | DTM6C SAY TO-220 | DTM6C.pdf | ||
NAG107-B | NAG107-B STANLEY ROHS | NAG107-B.pdf |