창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-R6007ENJTL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | R6007ENJ | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 2.4A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 40W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | LPTS(SC-83) | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | R6007ENJTLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | R6007ENJTL | |
관련 링크 | R6007E, R6007ENJTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
ERB-SE1R50U | FUSE BOARD MOUNT 1.5A 32VDC 0603 | ERB-SE1R50U.pdf | ||
AT0805DRD07205KL | RES SMD 205K OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD07205KL.pdf | ||
RT1210DRD07715RL | RES SMD 715 OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD07715RL.pdf | ||
ADXRS290BCEZ-RL | Gyroscope X (Pitch), Y (Roll) ±100 20Hz ~ 480Hz SPI 18-LGA_CAV (5.8x4.5) | ADXRS290BCEZ-RL.pdf | ||
PCF8583P | PCF8583P PHI DIP | PCF8583P .pdf | ||
2SD231A | 2SD231A ORIGINAL TO-3 | 2SD231A.pdf | ||
HM9903 | HM9903 ORIGINAL SMD or Through Hole | HM9903.pdf | ||
K4S181632CTC75 | K4S181632CTC75 SAMSUNG TSOP | K4S181632CTC75.pdf | ||
WSL-2010 0.002 1% | WSL-2010 0.002 1% VISHAY SMD | WSL-2010 0.002 1%.pdf | ||
VT2201/4BKL50mm+-2mm | VT2201/4BKL50mm+-2mm DSGCANUSA SMD or Through Hole | VT2201/4BKL50mm+-2mm.pdf | ||
B32669B6305j000 | B32669B6305j000 EPCOS SMD or Through Hole | B32669B6305j000.pdf | ||
AY-3-8610 | AY-3-8610 GI DIP | AY-3-8610.pdf |