창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6007ENJTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6007ENJ | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 620m옴 @ 2.4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-83 | |
| 공급 장치 패키지 | LPTS(SC-83) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | R6007ENJTLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6007ENJTL | |
| 관련 링크 | R6007E, R6007ENJTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R1BXXAJ | 1.1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R1BXXAJ.pdf | |
![]() | SIT8209AI-31-18E-100.000000Y | OSC XO 1.8V 100MHZ OE | SIT8209AI-31-18E-100.000000Y.pdf | |
![]() | RMCF0201FT78K7 | RES SMD 78.7K OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT78K7.pdf | |
![]() | RT0402DRE0747RL | RES SMD 47 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRE0747RL.pdf | |
![]() | TC164-FR-0730R1L | RES ARRAY 4 RES 30.1 OHM 1206 | TC164-FR-0730R1L.pdf | |
![]() | PRAC37S | PRAC37S PR DIPSOP | PRAC37S.pdf | |
![]() | 88E1111-B2-RCJI000 | 88E1111-B2-RCJI000 MARVELL QFP | 88E1111-B2-RCJI000.pdf | |
![]() | P6SMB18AT3 | P6SMB18AT3 MOT SMD or Through Hole | P6SMB18AT3.pdf | |
![]() | DW863240V-KM1 | DW863240V-KM1 DAW DIP-42 | DW863240V-KM1.pdf | |
![]() | RTE0400V04 | RTE0400V04 ORIGINAL SMD or Through Hole | RTE0400V04.pdf | |
![]() | XWM8711EFL | XWM8711EFL WM QFN28 | XWM8711EFL.pdf | |
![]() | M2T12S4A5G30-RO | M2T12S4A5G30-RO NKK SMD or Through Hole | M2T12S4A5G30-RO.pdf |