창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-R6002ENDTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | R6002END | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 65pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | R6002ENDTLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | R6002ENDTL | |
| 관련 링크 | R6002E, R6002ENDTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AQ147A3R6BAJME | 3.6pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147A3R6BAJME.pdf | |
![]() | Y00893K32020TR13L | RES 3.3202KOHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y00893K32020TR13L.pdf | |
![]() | NX2031-P2C0NSNHE31 | NX2031-P2C0NSNHE31 NETXEN SMD or Through Hole | NX2031-P2C0NSNHE31.pdf | |
![]() | VY06763A | VY06763A VLSI BGA | VY06763A.pdf | |
![]() | MOC3023M(EL3023) | MOC3023M(EL3023) EVERLIGHT PC | MOC3023M(EL3023).pdf | |
![]() | M25P40VMN6TP | M25P40VMN6TP ST SOP8 | M25P40VMN6TP.pdf | |
![]() | B1004A1ND3G50R0.011W | B1004A1ND3G50R0.011W AMPHENOL SMD or Through Hole | B1004A1ND3G50R0.011W.pdf | |
![]() | AZ339AP-E1 | AZ339AP-E1 DCB SMD or Through Hole | AZ339AP-E1.pdf | |
![]() | AF1333PULA | AF1333PULA ANACHI SOT-323 | AF1333PULA.pdf | |
![]() | LAVI-971VH+ | LAVI-971VH+ MINI SMD or Through Hole | LAVI-971VH+.pdf | |
![]() | LTR-5576D-PWB-D1M | LTR-5576D-PWB-D1M LITEON SMD or Through Hole | LTR-5576D-PWB-D1M.pdf |