- R2B-35V102MJ7
- 제조업체 부품 번호
- R2B-35V102MJ7
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 반도체 - 1
- 간단한 설명
- R2B-35V102MJ7 ELNA DIP-2
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
R2B-35V102MJ7 가격 및 조달
가능 수량
106570 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 R2B-35V102MJ7 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. R2B-35V102MJ7 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. R2B-35V102MJ7가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- R2B-35V102MJ7 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
R2B-35V102MJ7 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-R2B-35V102MJ7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | R2B-35V102MJ7 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | DIP-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | R2B-35V102MJ7 | |
| 관련 링크 | R2B-35V, R2B-35V102MJ7 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
R2B-35V102MJ7 의 관련 제품
 | SPD62R-274M | 270µH Shielded Wirewound Inductor 290mA 3 Ohm Max Nonstandard | SPD62R-274M.pdf | |
 | MOC8103 | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | MOC8103.pdf | |
 | CP0005330R0JE66 | RES 330 OHM 5W 5% AXIAL | CP0005330R0JE66.pdf | |
| E28F320J3R110 | E28F320J3R110 INTEL TSOP | E28F320J3R110.pdf | |
| RN55E1000FR36 | RN55E1000FR36 VISHAY DIP | RN55E1000FR36.pdf | |
| 0D | 0D VR SOT-143R | 0D.pdf | |
| BAS40-05LT1-LF | BAS40-05LT1-LF VS SMD or Through Hole | BAS40-05LT1-LF.pdf | |
| FS8841-33CE | FS8841-33CE FORTUNE TO-92 | FS8841-33CE.pdf | |
| SRU-6VDC-SD-A | SRU-6VDC-SD-A ORIGINAL SMD or Through Hole | SRU-6VDC-SD-A.pdf | |
| RG1H334M05011BB190 | RG1H334M05011BB190 SAMWHA SMD or Through Hole | RG1H334M05011BB190.pdf |