창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS8K2TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS8K2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 3.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 285pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS8K2TR | |
| 관련 링크 | QS8K, QS8K2TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
| 2038-80-SM-RP | GDT 800V 25% 5KA SURFACE MOUNT | 2038-80-SM-RP.pdf | ||
![]() | RN73C2A10K2BTDF | RES SMD 10.2KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A10K2BTDF.pdf | |
![]() | DAC85-MIL-CBI-V/883 | DAC85-MIL-CBI-V/883 AD DIP24 | DAC85-MIL-CBI-V/883.pdf | |
![]() | C1005X7R332KGTS | C1005X7R332KGTS TW 0402-3.3NF.50V.K | C1005X7R332KGTS.pdf | |
![]() | 842L | 842L IR DIP4 | 842L.pdf | |
![]() | M27V322-120F6 | M27V322-120F6 ST SMD or Through Hole | M27V322-120F6.pdf | |
![]() | CBRD-1215-3K | CBRD-1215-3K DANUBE DIP24 | CBRD-1215-3K.pdf | |
![]() | M37272M8-517SP | M37272M8-517SP MIT DIP | M37272M8-517SP.pdf | |
![]() | C51A-5 | C51A-5 ORIGINAL CAN | C51A-5.pdf | |
![]() | CDG309 | CDG309 ORIGINAL DIP | CDG309.pdf | |
![]() | D75N1400B | D75N1400B AEG MODULE | D75N1400B.pdf | |
![]() | GRM36B104K10D641/T263 | GRM36B104K10D641/T263 MURATA SMD or Through Hole | GRM36B104K10D641/T263.pdf |