창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS8J12TCR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | QS8J12 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 29m옴 @ 4.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 550mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | QS8J12TCR | |
관련 링크 | QS8J1, QS8J12TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
SIT5002AI-2E-33E0-160.000000Y | OSC XO 3.3V 160MHZ OE | SIT5002AI-2E-33E0-160.000000Y.pdf | ||
S5-475RF8 | RES SMD 475 OHM 1% 4W 8230 | S5-475RF8.pdf | ||
SMD-GL-1A81-15-11M | SMD-GL-1A81-15-11M MEDER DIP | SMD-GL-1A81-15-11M.pdf | ||
M37700E | M37700E ORIGINAL DIP-16 | M37700E.pdf | ||
SMB136ET-1265Y | SMB136ET-1265Y SUMMIT BGA | SMB136ET-1265Y.pdf | ||
CNB2E5ZTE10KOHMJ | CNB2E5ZTE10KOHMJ KOA SMD or Through Hole | CNB2E5ZTE10KOHMJ.pdf | ||
HDM-4009 | HDM-4009 ORIGINAL SMD or Through Hole | HDM-4009.pdf | ||
MIC2562A-OYM | MIC2562A-OYM MICREL SMD or Through Hole | MIC2562A-OYM.pdf | ||
MSP34CHG B5 | MSP34CHG B5 MICRONAS DIP | MSP34CHG B5.pdf | ||
2SB772-X | 2SB772-X NEC TO126 | 2SB772-X.pdf | ||
SGA5389Z A53Z | SGA5389Z A53Z SIRENZA SOT89 | SGA5389Z A53Z.pdf | ||
LTC1703CG#TR | LTC1703CG#TR LT SMD or Through Hole | LTC1703CG#TR.pdf |