홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » QS8J12TCR

Rohm Semiconductor QS8J12TCR

QS8J12TCR
제조업체 부품 번호
QS8J12TCR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
데이터 시트 다운로드
다운로드
QS8J12TCR 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 376.21600
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 QS8J12TCR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. QS8J12TCR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. QS8J12TCR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
QS8J12TCR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
QS8J12TCR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-QS8J12TCR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서QS8J12
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 P-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C4.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs29m옴 @ 4.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs40nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4200pF @ 6V
전력 - 최대550mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지TSMT8
표준 포장 3,000
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)QS8J12TCR
관련 링크QS8J1, QS8J12TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
QS8J12TCR 의 관련 제품
0.7nH Unshielded Multilayer Inductor 320mA 200 mOhm Max 01005 (0402 Metric) MHQ0402P0N7CT000.pdf
RES SMD 113K OHM 1% 1/2W 0805 CRCW0805113KFKEAHP.pdf
877591214 MOLEX n a 877591214.pdf
SST39LV1601-70-4I-EKE ORIGINAL SMD or Through Hole SST39LV1601-70-4I-EKE.pdf
PC911L0NSZ0F SHARP DIP8 PC911L0NSZ0F.pdf
GLZ12A-TG WILLAS LL34 GLZ12A-TG.pdf
15P04 Renesas TO-252 15P04.pdf
B4BPQ ORIGINAL TSSOP B4BPQ.pdf
M30622MCV-698FP AISEN QFP M30622MCV-698FP.pdf
MPS3114G MPS DIP MPS3114G.pdf
LP3984IMFX-2.0 TEL:82766440 NS SMD or Through Hole LP3984IMFX-2.0 TEL:82766440.pdf
45DB011XC ATNEL SSOP14 45DB011XC.pdf