창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-QS6U22TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | QS6U22 | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
| PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 215m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 270pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | QS6U22TR | |
| 관련 링크 | QS6U, QS6U22TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | AA0805FR-079K09L | RES SMD 9.09K OHM 1% 1/8W 0805 | AA0805FR-079K09L.pdf | |
![]() | RNF12FTC12K1 | RES 12.1K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC12K1.pdf | |
![]() | CMF55597R00BHEA | RES 597 OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF55597R00BHEA.pdf | |
![]() | EX-28B | SENSOR PHOTO 45-115MM NPN 12-24V | EX-28B.pdf | |
![]() | DSB0624VH-A | DSB0624VH-A DEL SMD or Through Hole | DSB0624VH-A.pdf | |
![]() | TSH310IDT | TSH310IDT ORIGINAL 8-SOIC3.9mm | TSH310IDT.pdf | |
![]() | TSR6GTF-3570V | TSR6GTF-3570V ORIGINAL SMD or Through Hole | TSR6GTF-3570V.pdf | |
![]() | LC5870081C60 | LC5870081C60 SANYO SMD or Through Hole | LC5870081C60.pdf | |
![]() | ERD75-005 | ERD75-005 FUJI DO-4 | ERD75-005.pdf | |
![]() | 29F200BA-90 | 29F200BA-90 FUJITSU SOP44 | 29F200BA-90.pdf | |
![]() | SPT0305A-1R5K-5 | SPT0305A-1R5K-5 TDK SMD or Through Hole | SPT0305A-1R5K-5.pdf | |
![]() | B37986G1152J54 | B37986G1152J54 EPCOS SMD or Through Hole | B37986G1152J54.pdf |