창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-QS5U36TR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | QS5U36 | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 81m옴 @ 2.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.5nC @ 4.5V | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 900mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | |
공급 장치 패키지 | TSMT5 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | QS5U36TR | |
관련 링크 | QS5U, QS5U36TR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | SM102031754JE | RES 1.75M OHM 1W 5% RADIAL | SM102031754JE.pdf | |
![]() | R21600 | R21600 microsemi DO-4 | R21600.pdf | |
![]() | 9109449C01 | 9109449C01 MOTOROLA QFN | 9109449C01.pdf | |
![]() | SXC1592EL005 | SXC1592EL005 ORIGINAL 0833 (PB) | SXC1592EL005.pdf | |
![]() | 2N5485 | 2N5485 SI TO-92 | 2N5485.pdf | |
![]() | 3266PWXYZ | 3266PWXYZ BOURNS SMD or Through Hole | 3266PWXYZ.pdf | |
![]() | M32906D3WG | M32906D3WG RENESAS BGA | M32906D3WG.pdf | |
![]() | DL-0921-10014 | DL-0921-10014 CAPCOM QFP | DL-0921-10014.pdf | |
![]() | EPCOS1614 | EPCOS1614 EPCOS SMD | EPCOS1614.pdf | |
![]() | 74HC40103D/ | 74HC40103D/ PHILIPS SOP-16 | 74HC40103D/.pdf | |
![]() | O710-6R | O710-6R QFN AUO | O710-6R.pdf | |
![]() | AM26LS32MJ/883C | AM26LS32MJ/883C TEXAS DIP | AM26LS32MJ/883C.pdf |