홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » QH8MA4TCR

Rohm Semiconductor QH8MA4TCR

QH8MA4TCR
제조업체 부품 번호
QH8MA4TCR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
데이터 시트 다운로드
다운로드
QH8MA4TCR 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 257.53179
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 QH8MA4TCR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. QH8MA4TCR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. QH8MA4TCR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
QH8MA4TCR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
QH8MA4TCR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-QH8MA4TCR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서QH8MA4
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A, 8A
Rds On(최대) @ Id, Vgs16m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs15.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds640pF @ 15V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지TSMT8
표준 포장 3,000
다른 이름QH8MA4TCRTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)QH8MA4TCR
관련 링크QH8MA, QH8MA4TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
QH8MA4TCR 의 관련 제품
4700pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) CC0402KRX7R8BB472.pdf
RES SMD 220K OHM 5% 1/8W 0805 MCR10EZHJ224.pdf
RES SMD 2.2K OHM 5% 1/4W 1206 RCG12062K20JNEA.pdf
LRC-8A D/C DIP LRC-8A.pdf
PEB83086F 1.4 SIEMSENS SMD or Through Hole PEB83086F 1.4.pdf
SMV1204-73 AI SOT-23 SMV1204-73.pdf
HER206-TP MCC SMD or Through Hole HER206-TP.pdf
23Z105NLT PULSE SMD or Through Hole 23Z105NLT.pdf
R1275NS18L WESTCODE SMD or Through Hole R1275NS18L.pdf
HC1S012HP1R1000 INTEL TO-220-2 HC1S012HP1R1000.pdf
LTC3440EMS-TRPBF LT SMD or Through Hole LTC3440EMS-TRPBF.pdf
NT7533 Novatek COGCOB NT7533.pdf