홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 어레이 » QH8MA3TCR

Rohm Semiconductor QH8MA3TCR

QH8MA3TCR
제조업체 부품 번호
QH8MA3TCR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
데이터 시트 다운로드
다운로드
QH8MA3TCR 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 195.11332
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 QH8MA3TCR 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. QH8MA3TCR 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. QH8MA3TCR가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
QH8MA3TCR 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
QH8MA3TCR 매개 변수
내부 부품 번호EIS-QH8MA3TCR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서QH8MA3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형N 및 P-Chan
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A, 5.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs29m옴 @ 7A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.2nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds300pF @ 15V
전력 - 최대1.5W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SMD, 평면 리드
공급 장치 패키지TSMT8
표준 포장 3,000
다른 이름QH8MA3TCRTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)QH8MA3TCR
관련 링크QH8MA, QH8MA3TCR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
QH8MA3TCR 의 관련 제품
0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) UMK212B7224KG-T.pdf
UPD78054GC-929 NEC QFP UPD78054GC-929.pdf
500S40 CEHCO B-8 500S40.pdf
CMPTH10 TR Central SOT23(3KRL) CMPTH10 TR.pdf
100UF35V6.3*11 ORIGINAL SMD or Through Hole 100UF35V6.3*11.pdf
AD7242JRZ-REEL AD SOP-28 AD7242JRZ-REEL.pdf
RK-2405S/H RECOM SIP-7 RK-2405S/H.pdf
SP3084EEN-L SIPEX SOP8 SP3084EEN-L.pdf
MSP430F2013IPWRR TI TSSOP MSP430F2013IPWRR.pdf
CI1005B6R8K HKT SMD or Through Hole CI1005B6R8K.pdf
79RV4700-150GH IDT PGA 79RV4700-150GH.pdf