창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PZU4.7B3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PZUxB Series | |
| PCN 설계/사양 | SOD323F Bond Wire from Au to Cu & 2nd Source Mold 2/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-3917-2 934059839115 PZU4.7B3 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PZU4.7B3,115 | |
| 관련 링크 | PZU4.7B, PZU4.7B3,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | FQ5032BR-10.000 | 10MHz ±30ppm 수정 20pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FQ5032BR-10.000.pdf | |
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![]() | BL1032 | BL1032 ORIGINAL DIP18 | BL1032.pdf | |
![]() | EVPAF1B70 | EVPAF1B70 ALPS SMD or Through Hole | EVPAF1B70.pdf | |
![]() | FLE-106-01-G-DV-P-TR | FLE-106-01-G-DV-P-TR SAM SMD or Through Hole | FLE-106-01-G-DV-P-TR.pdf | |
![]() | SI3157 | SI3157 SANKEN TO-220-7 | SI3157.pdf | |
![]() | SN7417DR | SN7417DR TI SMD or Through Hole | SN7417DR.pdf | |
![]() | ECS-50-20-28A | ECS-50-20-28A ECS SMD | ECS-50-20-28A.pdf |