창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PZU22B,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PZUxB Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 310mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 17V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-90, SOD-323F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-3886-2 934059774115 PZU22B T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PZU22B,115 | |
| 관련 링크 | PZU22B, PZU22B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D120FXPAP | 12pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120FXPAP.pdf | |
![]() | BF014E0562J | 5600pF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.295" L x 0.098" W (7.50mm x 2.50mm) | BF014E0562J.pdf | |
![]() | PA4302.102NLT | 1µH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 20 mOhm Max Nonstandard | PA4302.102NLT.pdf | |
![]() | PG0642.152NL | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 13.3A 6.8 mOhm Nonstandard | PG0642.152NL.pdf | |
![]() | 100V68000UF 75X120 | 100V68000UF 75X120 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100V68000UF 75X120.pdf | |
![]() | MB87L4461PFV-G-BNDE1 | MB87L4461PFV-G-BNDE1 FUJITSU QFP | MB87L4461PFV-G-BNDE1.pdf | |
![]() | M63955EP | M63955EP MIT SSOP36 | M63955EP.pdf | |
![]() | MB84VF6H6H5K1-70PBS- | MB84VF6H6H5K1-70PBS- FUJITS QFN | MB84VF6H6H5K1-70PBS-.pdf | |
![]() | SY100S304JZ | SY100S304JZ SY PLCC28 | SY100S304JZ.pdf | |
![]() | 303U160 | 303U160 IR SMD or Through Hole | 303U160.pdf | |
![]() | WB5535 | WB5535 ORIGINAL SMD or Through Hole | WB5535.pdf | |
![]() | VUO30-12N05 | VUO30-12N05 IXYS SMD or Through Hole | VUO30-12N05.pdf |