홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » PXAC201602FCV1XWSA1

Infineon Technologies PXAC201602FCV1XWSA1

PXAC201602FCV1XWSA1
제조업체 부품 번호
PXAC201602FCV1XWSA1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC AMP RF LDMOS
데이터 시트 다운로드
다운로드
PXAC201602FCV1XWSA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PXAC201602FCV1XWSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. PXAC201602FCV1XWSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PXAC201602FCV1XWSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PXAC201602FCV1XWSA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PXAC201602FCV1XWSA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PXAC201602FCV1XWSA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PXAC201602FC
PCN 부품 상태 변경Mult Device Pkg Type Disc 08/Jun/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장*
부품 현황주문 불가
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.02GHz
이득17.7dB
전압 - 테스트28V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트360mA
전력 - 출력22.5W
전압 - 정격65V
패키지/케이스*
공급 장치 패키지*
표준 포장 50
다른 이름SP001212218
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PXAC201602FCV1XWSA1
관련 링크PXAC201602F, PXAC201602FCV1XWSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
PXAC201602FCV1XWSA1 의 관련 제품
RES SMD 1.6M OHM 0.1% 1/3W 1210 TNPW12101M60BETA.pdf
RES SMD 0.075 OHM 1% 3W 6327 S3-0R075F1.pdf
RES SMD 825 OHM 1% 1/16W 0402 CRCW0402825RFKTD.pdf
EPM9560RI304 ATLERA SMD or Through Hole EPM9560RI304.pdf
IM4A5-128/64/10YC-12YI Lattice QFP IM4A5-128/64/10YC-12YI.pdf
MCP3021A7T-E/OT Microchip SMD or Through Hole MCP3021A7T-E/OT.pdf
RF2638 2638 RFMD MSOP-8 RF2638 2638.pdf
OPA378AIDCKRG4 TI SC70-5 OPA378AIDCKRG4.pdf
ME2301A28P ME SMD or Through Hole ME2301A28P.pdf
HBLS1608-R10 HY/HONGYEX SMD or Through Hole HBLS1608-R10.pdf
QS74FCT2240TSO Q SOP20W QS74FCT2240TSO.pdf