창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PWR5322WR250JE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PWR2010,3014,4318,5322 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PWR5322 W Material Declaration | |
| 3D 모델 | PWR5322.stp | |
| 카탈로그 페이지 | 2251 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | PWR5322 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 0.25 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 3W | |
| 구성 | 권선 | |
| 특징 | 전류 감지, 펄스 내성 | |
| 온도 계수 | ±90ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 5322 J-리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | 5322 | |
| 크기/치수 | 0.532" L x 0.217" W(13.50mm x 5.50mm) | |
| 높이 | 0.243"(6.16mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | PWR5322WR250JETR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PWR5322WR250JE | |
| 관련 링크 | PWR5322W, PWR5322WR250JE 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | LMK105B7224KVHF | 0.22µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | LMK105B7224KVHF.pdf | |
![]() | C0603C121K5GALTU | 120pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C121K5GALTU.pdf | |
![]() | CM309E4915200ABKT | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 150옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E4915200ABKT.pdf | |
![]() | RT0402DRD0782K5L | RES SMD 82.5KOHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD0782K5L.pdf | |
![]() | HMC460-SX | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 20GHz Die | HMC460-SX.pdf | |
![]() | T491B336M004AS7454 | T491B336M004AS7454 KEMET B1210 | T491B336M004AS7454.pdf | |
![]() | M80012 | M80012 MITSUBISHI DIP8 | M80012.pdf | |
![]() | BST114 | BST114 SIE SMD or Through Hole | BST114.pdf | |
![]() | HU31K152MCZWPEC | HU31K152MCZWPEC HITACHI DIP | HU31K152MCZWPEC.pdf | |
![]() | L201 | L201 NULL CAN | L201.pdf | |
![]() | K4S168030BN-GH | K4S168030BN-GH SEC TSOP | K4S168030BN-GH.pdf |