창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PWR263S-20-4R70J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PWR263S-20 Series | |
| 제품 교육 모듈 | Thick Film PWR263S-20 Power Resistor Current Sense Resistor Overview | |
| 3D 모델 | PWR263S-20.stp | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Format Feb/2016 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | PWR263S-20 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 4.7 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 20W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 전류 감지, 펄스 응력 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 크기/치수 | 0.398" L x 0.409" W(10.10mm x 10.40mm) | |
| 높이 | 0.192"(4.88mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | PWR263S204R70J | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PWR263S-20-4R70J | |
| 관련 링크 | PWR263S-2, PWR263S-20-4R70J 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | BUX85G | TRANS NPN 450V 2A TO220AB | BUX85G.pdf | |
![]() | 4610X-102-390LF | RES ARRAY 5 RES 39 OHM 10SIP | 4610X-102-390LF.pdf | |
![]() | SS1V106M04007PC359 | SS1V106M04007PC359 SAMWHA Call | SS1V106M04007PC359.pdf | |
![]() | APT5024BLL | APT5024BLL APT TO-247 | APT5024BLL.pdf | |
![]() | MT46H64M16LFCK-6;A | MT46H64M16LFCK-6;A MICRON SMD or Through Hole | MT46H64M16LFCK-6;A.pdf | |
![]() | 8908001010001100 | 8908001010001100 PRECIDIP SMD or Through Hole | 8908001010001100.pdf | |
![]() | CDR103M25V | CDR103M25V N/A SMD or Through Hole | CDR103M25V.pdf | |
![]() | JM38510/00403CA | JM38510/00403CA TI DIP-14 | JM38510/00403CA.pdf | |
![]() | MT1100E | MT1100E ORIGINAL SMD or Through Hole | MT1100E.pdf | |
![]() | RG2C105M6L011BB180 | RG2C105M6L011BB180 ORIGINAL SMD or Through Hole | RG2C105M6L011BB180.pdf | |
![]() | TCSCN1E476MDAR | TCSCN1E476MDAR SAMSUNG CD | TCSCN1E476MDAR.pdf | |
![]() | TCSCN0G686MDAR | TCSCN0G686MDAR SAMSUNG SMD | TCSCN0G686MDAR.pdf |