창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PWR263S-20-12R0J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PWR263S-20 Series | |
| 제품 교육 모듈 | Thick Film PWR263S-20 Power Resistor Current Sense Resistor Overview | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | PWR263020xxx Material Declaration | |
| 3D 모델 | PWR263S-20.stp | |
| PCN 설계/사양 | Date Code Format Feb/2016 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Bourns Inc. | |
| 계열 | PWR263S-20 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 12 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력(와트) | 20W | |
| 구성 | 후막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200, 전류 감지, 펄스 응력 | |
| 온도 계수 | ±100ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 크기/치수 | 0.398" L x 0.409" W(10.10mm x 10.40mm) | |
| 높이 | 0.192"(4.88mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | PWR263S2012R0J | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PWR263S-20-12R0J | |
| 관련 링크 | PWR263S-2, PWR263S-20-12R0J 데이터 시트, Bourns Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | CP0003120R0KE66 | RES 120 OHM 3W 10% AXIAL | CP0003120R0KE66.pdf | |
![]() | SW02PCN012 | SW02PCN012 WESTCODE SMD or Through Hole | SW02PCN012.pdf | |
![]() | XC3190A-TQ176 | XC3190A-TQ176 XILINX QFP | XC3190A-TQ176.pdf | |
![]() | CY24207ZC-1T | CY24207ZC-1T CYPRESS CYPRESS | CY24207ZC-1T.pdf | |
![]() | SMV1130-011 | SMV1130-011 SKYMORKS SOD323 | SMV1130-011.pdf | |
![]() | M27C0802ZB | M27C0802ZB ORIGINAL SMD or Through Hole | M27C0802ZB.pdf | |
![]() | BAV756DWTR | BAV756DWTR DIO SMD or Through Hole | BAV756DWTR.pdf | |
![]() | IPI25N06S3L-22 | IPI25N06S3L-22 Infineon T0-262 | IPI25N06S3L-22.pdf | |
![]() | PM6050-1D | PM6050-1D Qualcomm IC QCT 1st-Generatio | PM6050-1D.pdf | |
![]() | HEF4094PT | HEF4094PT ORIGINAL SMD or Through Hole | HEF4094PT.pdf | |
![]() | EB1125M12TC/B | EB1125M12TC/B ORIGINAL CAN4 | EB1125M12TC/B.pdf | |
![]() | CMM0805-670M-N | CMM0805-670M-N CHILISIN SMD | CMM0805-670M-N.pdf |