홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PUMD3,125

NXP Semiconductors PUMD3,125

PUMD3,125
제조업체 부품 번호
PUMD3,125
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
PUMD3,125 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 61.52889
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PUMD3,125 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PUMD3,125 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PUMD3,125가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PUMD3,125 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PUMD3,125 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PUMD3,125
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD3,PIMD3,PUMD3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지6-TSSOP
표준 포장 3,000
다른 이름934050170125
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PUMD3,125
관련 링크PUMD3, PUMD3,125 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PUMD3,125 의 관련 제품
RES 114K OHM 1/2W .1% AXIAL CMF55114K00BHEB.pdf
NTC Thermistor 5k DO-204AH, DO-35, Axial DKA502N10.pdf
AMS3106M1-3.3BP AMS SOT-23 AMS3106M1-3.3BP.pdf
RD70HVF1-101 MITSUBISHI Ceramic RD70HVF1-101.pdf
25520AD-0 ORIGINAL DIP-16 25520AD-0.pdf
AD8384ASVZ ADI SMD or Through Hole AD8384ASVZ.pdf
BZX79-C4V7.143 NXP/PH SMD or Through Hole BZX79-C4V7.143.pdf
LT1614IS LT SOP8 LT1614IS.pdf
MI-J5Y-IZ VICOR SMD or Through Hole MI-J5Y-IZ.pdf
IN7100N IKSEMICON DIP IN7100N.pdf
8315-8000 M/WSI SMD or Through Hole 8315-8000.pdf