홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PUMD18,115

NXP Semiconductors PUMD18,115

PUMD18,115
제조업체 부품 번호
PUMD18,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
데이터 시트 다운로드
다운로드
PUMD18,115 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 70.75833
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PUMD18,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PUMD18,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PUMD18,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PUMD18,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PUMD18,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PUMD18,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD,PUMD18
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic100mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급 장치 패키지6-TSSOP
표준 포장 3,000
다른 이름934058903115
PUMD18 T/R
PUMD18 T/R-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PUMD18,115
관련 링크PUMD18, PUMD18,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PUMD18,115 의 관련 제품
1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C B43254C2108M.pdf
2.2µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) GRM43ER72A225KA01L.pdf
DIODE ZENER 18.51V 500MW SOD323F DDZ20ASF-7.pdf
CSRN 2 0.025 1％ R ORIGINAL SMD or Through Hole CSRN 2 0.025 1％ R.pdf
XCV812E-FG900AFS0509 XILINX BGA XCV812E-FG900AFS0509.pdf
3537V1A PHILIPS QFN-40 3537V1A.pdf
Z0103 QG SMD or Through Hole Z0103.pdf
LT1058ACN8 LINEAR DIP-8 LT1058ACN8.pdf
LM158AJ-QMLV5962-8771002VPA NA NULL LM158AJ-QMLV5962-8771002VPA.pdf
JR2-12V ORIGINAL SMD or Through Hole JR2-12V.pdf
COJ016 ST SOP-14 COJ016.pdf