창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PTN1206E85R6BST1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PTN Series Datasheet | |
PCN 설계/사양 | PTN Material Change 17/Aug/2015 | |
PCN 조립/원산지 | PTN1206 Series 16/Jan/2013 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Thin Film | |
계열 | PTN | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 85.6 | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.4W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 반황화, 내습성, 비유도 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 1206 | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.033"(0.84mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PTN1206E85R6BST1 | |
관련 링크 | PTN1206E8, PTN1206E85R6BST1 데이터 시트, Vishay Thin Film 에이전트 유통 |
![]() | CBR08C220J1GAC | 22pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C220J1GAC.pdf | |
![]() | VJ1812Y821KBHAT4X | 820pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y821KBHAT4X.pdf | |
![]() | DSC1001AI2-042.0000 | 42MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 7.2mA Standby (Power Down) | DSC1001AI2-042.0000.pdf | |
![]() | LAA120 | Solid State Relay DPST (2 Form A) 8-DIP (0.300", 7.62mm) | LAA120.pdf | |
![]() | RG2012P-512-W-T5 | RES SMD 5.1K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-512-W-T5.pdf | |
![]() | XC52106TQ144I | XC52106TQ144I XILINX QFP | XC52106TQ144I.pdf | |
![]() | SFULA455KU2B-B0 | SFULA455KU2B-B0 MURATA SMD | SFULA455KU2B-B0.pdf | |
![]() | 0805/3.3PF/50V | 0805/3.3PF/50V SAMSUNG SMD or Through Hole | 0805/3.3PF/50V.pdf | |
![]() | MIPWT3226D2R6M-PS | MIPWT3226D2R6M-PS N/A SMD | MIPWT3226D2R6M-PS.pdf | |
![]() | SN74ABT241APWR | SN74ABT241APWR TI SMD | SN74ABT241APWR.pdf | |
![]() | 57C49B-35DI | 57C49B-35DI WSI SMD or Through Hole | 57C49B-35DI.pdf | |
![]() | AT28HC256-DC | AT28HC256-DC ATMEL DIP | AT28HC256-DC.pdf |