홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » RF FET » PTFB211803FLV2R0XTMA1

Infineon Technologies PTFB211803FLV2R0XTMA1

PTFB211803FLV2R0XTMA1
제조업체 부품 번호
PTFB211803FLV2R0XTMA1
제조업 자
제품 카테고리
RF FET
간단한 설명
IC AMP RF LDMOS H-34288-4
데이터 시트 다운로드
다운로드
PTFB211803FLV2R0XTMA1 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 99,999.99999
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PTFB211803FLV2R0XTMA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. PTFB211803FLV2R0XTMA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PTFB211803FLV2R0XTMA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PTFB211803FLV2R0XTMA1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PTFB211803FLV2R0XTMA1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PTFB211803FLV2R0XTMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PTFB211803EL,FL
종류이산 소자 반도체 제품
제품군RF FET
제조업체Infineon Technologies
계열-
포장*
부품 현황신제품
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.17GHz
이득17.5dB
전압 - 테스트30V
정격 전류-
잡음 지수-
전류 - 테스트1.3A
전력 - 출력40W
전압 - 정격65V
패키지/케이스*
공급 장치 패키지*
표준 포장 50
다른 이름SP001413940
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PTFB211803FLV2R0XTMA1
관련 링크PTFB211803FL, PTFB211803FLV2R0XTMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
PTFB211803FLV2R0XTMA1 의 관련 제품
1200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 P90 3838(9797 미터법) 0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm) HQCEAM122GAH6A.pdf
6.8mH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 21.8 Ohm Max Radial HM17-875682LF.pdf
Photodiode 875nm 7.5ns 56° 2-SMD, Gull Wing HSDL-5420#011.pdf
QRE00034 FAIRCHILD SC-70 QRE00034.pdf
784038YGC341 NEC QFP 784038YGC341.pdf
UPD789104AMC-661-5A4-E1-A NEC TSSOP30 UPD789104AMC-661-5A4-E1-A.pdf
HZ6A3LTA ORIGINAL SMD or Through Hole HZ6A3LTA.pdf
KRG35VB222M18X20LL UMITEDCHEMI-CON DIP KRG35VB222M18X20LL.pdf
M50747-A14SP MIT DIP64 M50747-A14SP.pdf
MJ3001 MOTO SMD or Through Hole MJ3001.pdf
SNJ54L10J TIS Call SNJ54L10J.pdf
UA3018AHM FSC CAN12 UA3018AHM.pdf