창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PTFA192001EV4XWSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PTFA1920001E,F | |
| PCN 설계/사양 | Laser Marking Update 07/May/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | New Wafer Carrier 28/Oct/2014 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Mult Device EOL 10/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF FET | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS | |
| 주파수 | 1.99GHz | |
| 이득 | 15.9dB | |
| 전압 - 테스트 | 30V | |
| 정격 전류 | 10µA | |
| 잡음 지수 | - | |
| 전류 - 테스트 | 1.8A | |
| 전력 - 출력 | 50W | |
| 전압 - 정격 | 65V | |
| 패키지/케이스 | 2-Flatpack, 핀 리드(Fin Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | H-36260-2 | |
| 표준 포장 | 35 | |
| 다른 이름 | PTFA192001E V4 PTFA192001E V4-ND SP000376070 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PTFA192001EV4XWSA1 | |
| 관련 링크 | PTFA192001, PTFA192001EV4XWSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | GQM1875C2E330FB12D | 33pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GQM1875C2E330FB12D.pdf | |
![]() | 1812HA390MAT1A | 39pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HA390MAT1A.pdf | |
![]() | 2N6661-E3 | MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205 | 2N6661-E3.pdf | |
![]() | SVP0720SX | SVP0720SX SEMITEL SMD or Through Hole | SVP0720SX.pdf | |
![]() | IRLR8726TRLPBF-H | IRLR8726TRLPBF-H IR DPAK | IRLR8726TRLPBF-H.pdf | |
![]() | CM140096 | CM140096 ICS SMD | CM140096.pdf | |
![]() | DB-25P-1A0N-A191-A19 | DB-25P-1A0N-A191-A19 ITTCANNON SMD or Through Hole | DB-25P-1A0N-A191-A19.pdf | |
![]() | 1SV153(S) | 1SV153(S) TOSHIBA SOD123 | 1SV153(S).pdf | |
![]() | T923CD | T923CD ORIGINAL SSOP-8 | T923CD.pdf | |
![]() | V800 | V800 ORIGINAL SMD or Through Hole | V800.pdf | |
![]() | SB21440-AD | SB21440-AD inteI N A | SB21440-AD.pdf | |
![]() | K9GBG08U0APCB0 | K9GBG08U0APCB0 K/HY TSOP | K9GBG08U0APCB0.pdf |