창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R4-80PS,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN4R4-80PS | |
| 주요제품 | TO220 with Trench 6 MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 125nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8400pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 306W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-4896-5 934063914127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN4R4-80PS,127 | |
| 관련 링크 | PSMN4R4-8, PSMN4R4-80PS,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CMS22CME30K00JE | RES CAP BLEEDER 30K OHM 5% 22W | CMS22CME30K00JE.pdf | |
![]() | MURA315T3 | MURA315T3 MOT SMD DIP | MURA315T3.pdf | |
![]() | MBTZM6V2-GS08 | MBTZM6V2-GS08 VISHAY SMD or Through Hole | MBTZM6V2-GS08.pdf | |
![]() | LM6118E/883C | LM6118E/883C NS LCC | LM6118E/883C.pdf | |
![]() | 2RM800M-8 | 2RM800M-8 BK SMD | 2RM800M-8.pdf | |
![]() | FDD25-05S3 | FDD25-05S3 CHINFA SMD or Through Hole | FDD25-05S3.pdf | |
![]() | RLB-50V100MG3 | RLB-50V100MG3 ELNA DIP | RLB-50V100MG3.pdf | |
![]() | KS22319L3 | KS22319L3 TI SMD or Through Hole | KS22319L3.pdf | |
![]() | CY7C1024AV33-15BGC | CY7C1024AV33-15BGC CYPRESS SMD or Through Hole | CY7C1024AV33-15BGC.pdf | |
![]() | SCY991351CDR2G | SCY991351CDR2G ON SMD or Through Hole | SCY991351CDR2G.pdf | |
![]() | HD6432647B02FC | HD6432647B02FC RENESAS QFP | HD6432647B02FC.pdf |