창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN4R1-30YLC,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMNNextPower MOSFETs PSMN4R1-30YLC | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 25/Dec/2013 PCN Retraction 05/Jul/2015 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 12/Jan/2015 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 92A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.35m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.95V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1502pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 67W | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-6737-2 934065195115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN4R1-30YLC,115 | |
| 관련 링크 | PSMN4R1-30, PSMN4R1-30YLC,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 04025A470KAT2A | 47pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A470KAT2A.pdf | |
![]() | RT1206FRE07432RL | RES SMD 432 OHM 1% 1/4W 1206 | RT1206FRE07432RL.pdf | |
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![]() | TNPW120653R6BEEA | RES SMD 53.6 OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPW120653R6BEEA.pdf | |
![]() | 49LF004B-33-4C | 49LF004B-33-4C SST PLCC | 49LF004B-33-4C.pdf | |
![]() | ISL6225CAI | ISL6225CAI INTERSIL SOP28 | ISL6225CAI.pdf | |
![]() | LA193B/DBK | LA193B/DBK LIGITEK 2007 | LA193B/DBK.pdf | |
![]() | CS8-10GO3 | CS8-10GO3 ORIGINAL MODULE | CS8-10GO3.pdf | |
![]() | SN74LVC1G125Y2PR | SN74LVC1G125Y2PR TI SMD or Through Hole | SN74LVC1G125Y2PR.pdf | |
![]() | AT82000766-IT1T | AT82000766-IT1T ATMEL SMD or Through Hole | AT82000766-IT1T.pdf |