창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN3R3-60PLQ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 면제 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN3R3-60PL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 130A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.4m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10115pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 293W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-10166-5 934067501127 PSMN3R360PLQ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN3R3-60PLQ | |
| 관련 링크 | PSMN3R3, PSMN3R3-60PLQ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | FG28C0G2E182JNT06 | 1800pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG28C0G2E182JNT06.pdf | |
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![]() | 0273.062V | FUSE BRD MNT 62MA 125VAC/VDC RAD | 0273.062V.pdf | |
![]() | 416F38422CTR | 38.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422CTR.pdf | |
![]() | 2SC5343EF | 2SC5343EF AUK SMD or Through Hole | 2SC5343EF.pdf | |
![]() | UCC3172ADWP | UCC3172ADWP ORIGINAL SOP28 | UCC3172ADWP.pdf | |
![]() | 2SJ278MYTR-EQ | 2SJ278MYTR-EQ RENESAS SOT89 | 2SJ278MYTR-EQ.pdf | |
![]() | XC6383A303PR | XC6383A303PR TOREX SOT-23 | XC6383A303PR.pdf | |
![]() | CKTB-1000/3.5/60 | CKTB-1000/3.5/60 ORIGINAL SMD or Through Hole | CKTB-1000/3.5/60.pdf | |
![]() | ADJHA | ADJHA AD MSOP8 | ADJHA.pdf | |
![]() | PWR1623 | PWR1623 BB SMD or Through Hole | PWR1623.pdf | |
![]() | L91S101G | L91S101G BI SMD or Through Hole | L91S101G.pdf |