창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R7-30PL,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN2R7-30PL | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.7m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 66nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3954pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 568-5235 568-5235-5 568-5235-ND 934064005127 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R7-30PL,127 | |
| 관련 링크 | PSMN2R7-3, PSMN2R7-30PL,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RC28F320C3BA100 | RC28F320C3BA100 INTEL BGA | RC28F320C3BA100.pdf | |
![]() | M54676FP | M54676FP MITJ CAN-8P | M54676FP.pdf | |
![]() | KHC8500AW-7.987200MHZ | KHC8500AW-7.987200MHZ ORIGINAL DIP-4 | KHC8500AW-7.987200MHZ.pdf | |
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![]() | DS-DP11W-12 | DS-DP11W-12 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS-DP11W-12.pdf | |
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