NXP Semiconductors PSMN2R5-30YL,115
- 제조업체 부품 번호
- PSMN2R5-30YL,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
PSMN2R5-30YL,115 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 296.52480
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 PSMN2R5-30YL,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN2R5-30YL,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN2R5-30YL,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- PSMN2R5-30YL,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
PSMN2R5-30YL,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R5-30YL,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN2R5-30YL | |
| 주요제품 | LFPAK Trench 6 MOSFETs | |
| PCN 조립/원산지 | T6 LFPAK Dual Source Supply 12/Feb/2014 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
| PCN 포장 | Leader/Trailer Update 03/Apr/2015 Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3468pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 88W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-4680-2 934063071115 PSMN2R5-30YL T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R5-30YL,115 | |
| 관련 링크 | PSMN2R5-3, PSMN2R5-30YL,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
PSMN2R5-30YL,115 의 관련 제품
-14.jpg) | C2012X6S1H105M085AB | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X6S1H105M085AB.pdf | |
 | FDMS3620S | MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/38A 8PQFN | FDMS3620S.pdf | |
 | NRH3010T2R2MN | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 1.3A 99.6 mOhm Max Nonstandard | NRH3010T2R2MN.pdf | |
 | P51-1500-S-O-D-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1500 PSI (10342.14 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1500-S-O-D-4.5V-000-000.pdf | |
| AZ1117D-2.5TRGA | AZ1117D-2.5TRGA BCD TO252 | AZ1117D-2.5TRGA.pdf | |
| S-8321AEMP-DNE-T2 | S-8321AEMP-DNE-T2 SEIKO SMD or Through Hole | S-8321AEMP-DNE-T2.pdf | |
| 8800/7018/0504 | 8800/7018/0504 AMIS PLCC-28P | 8800/7018/0504.pdf | |
| LMS1587CSX-1.5/NOPB | LMS1587CSX-1.5/NOPB NATIONALSEMICONDU SMD or Through Hole | LMS1587CSX-1.5/NOPB.pdf | |
| MSA-0686-TR1 TEL:82766440 | MSA-0686-TR1 TEL:82766440 AGILENT SMD or Through Hole | MSA-0686-TR1 TEL:82766440.pdf | |
| 641216-2 | 641216-2 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 641216-2.pdf | |
| CB091 | CB091 PHI DIP | CB091.pdf | |
| GW17M06REV02 | GW17M06REV02 SAMSUNG DIP-42 | GW17M06REV02.pdf |