창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R4-30YLDX | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN2R4-30YLD | |
주요제품 | NextPowerS3MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Site Transfer 04/Feb/2015 Wafer Fab Site Transfer 24/Aug/2015 Leadframe Supplier Add 13/Jun/2016 | |
PCN 포장 | Lighter Reel Update 29/Aug/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 31.3nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2256pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 106W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669, 4-LFPAK | |
공급 장치 패키지 | LFPAK, 전원-SO8 | |
표준 포장 | 1,500 | |
다른 이름 | 568-11375-2 934067965115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN2R4-30YLDX | |
관련 링크 | PSMN2R4-, PSMN2R4-30YLDX 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | B72590T170S160 | VARISTOR 32.5V 20A 0402 | B72590T170S160.pdf | |
![]() | RCL122548K7FKEG | RES SMD 48.7K OHM 2W 2512 WIDE | RCL122548K7FKEG.pdf | |
![]() | 0510011228-00REV | 0510011228-00REV MICROCHIP DIP18 | 0510011228-00REV.pdf | |
![]() | A920CY-100M/P3 | A920CY-100M/P3 TOKO 6.33.5 | A920CY-100M/P3.pdf | |
![]() | 4850 215-0669065 | 4850 215-0669065 NVIDIA BGA | 4850 215-0669065.pdf | |
![]() | DE2B3KH681KA3BLC2 | DE2B3KH681KA3BLC2 MURATA DIP | DE2B3KH681KA3BLC2.pdf | |
![]() | FQPF10U60DN | FQPF10U60DN FAIRCHILD TO-220F-2 | FQPF10U60DN.pdf | |
![]() | M62290 | M62290 MITSUBISH SIP | M62290.pdf | |
![]() | SN29770BN | SN29770BN TEXAS DIP16 | SN29770BN.pdf | |
![]() | VE13M00251K | VE13M00251K TPC BULK | VE13M00251K.pdf | |
![]() | DS1000N-75 | DS1000N-75 NS DIP8 | DS1000N-75.pdf | |
![]() | WNG4/WNG-4-3.3V | WNG4/WNG-4-3.3V ORIGINAL SOP8DIP8 | WNG4/WNG-4-3.3V.pdf |