창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R1-60CSJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 934067536118 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | - | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | - | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN2R1-60CSJ | |
| 관련 링크 | PSMN2R1, PSMN2R1-60CSJ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RQ3E180GNTB | MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT | RQ3E180GNTB.pdf | |
![]() | RCL04065R10JNEA | RES SMD 5.1 OHM 1/4W 0604 WIDE | RCL04065R10JNEA.pdf | |
![]() | PHP00805E2770BBT1 | RES SMD 277 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2770BBT1.pdf | |
![]() | W43C94-00G | W43C94-00G CYPRESS SOP-20 | W43C94-00G.pdf | |
![]() | ISL78302ARFB | ISL78302ARFB INTERSIL QFN10 | ISL78302ARFB.pdf | |
![]() | KM416V256DT-L | KM416V256DT-L ORIGINAL TSSOP | KM416V256DT-L.pdf | |
![]() | 1-66505-0 | 1-66505-0 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-66505-0.pdf | |
![]() | GM34063ES8 | GM34063ES8 GAMMA SOP-8 | GM34063ES8.pdf | |
![]() | MAX5068BAUEAS+ | MAX5068BAUEAS+ MAXIM TSSOP-16 | MAX5068BAUEAS+.pdf | |
![]() | MJD127-TR | MJD127-TR ST TO-252 | MJD127-TR.pdf | |
![]() | TAG92B-4 | TAG92B-4 ORIGINAL TO-92 | TAG92B-4.pdf | |
![]() | 54S22DMQB | 54S22DMQB NS CDIP | 54S22DMQB.pdf |