창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PSMN2R0-30PL,127 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PSMN2R0-30PL | |
주요제품 | TO220 with Trench 6 MOSFETs | |
PCN 조립/원산지 | Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1503 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 117nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6810pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 211W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 568-4899-5 934063917127 PSMN2R030PL127 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PSMN2R0-30PL,127 | |
관련 링크 | PSMN2R0-3, PSMN2R0-30PL,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MOV-10D820K | VARISTOR 82V 2.5KA DISC 10MM | MOV-10D820K.pdf | |
![]() | 403C35E24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 20pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 403C35E24M57600.pdf | |
![]() | 416F40633ADR | 40.61MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40633ADR.pdf | |
![]() | G24912.1 | G24912.1 NVIDIA BGA | G24912.1.pdf | |
![]() | K1400 | K1400 ORIGINAL DIP | K1400.pdf | |
![]() | NT2S-SF125B-E | NT2S-SF125B-E ORIGINAL NEW | NT2S-SF125B-E.pdf | |
![]() | 10324AF1V-1 | 10324AF1V-1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10324AF1V-1.pdf | |
![]() | LD6914 | LD6914 leadtrend SOT23-5 | LD6914.pdf | |
![]() | TEA7532, | TEA7532, ST SMD-16 | TEA7532,.pdf | |
![]() | SEDA6V1W5 | SEDA6V1W5 ST SC70-5 | SEDA6V1W5.pdf | |
![]() | M36LOT8060T3ZAQ | M36LOT8060T3ZAQ ST SMD or Through Hole | M36LOT8060T3ZAQ.pdf | |
![]() | HWYN203/7715 | HWYN203/7715 HITACHI SMD or Through Hole | HWYN203/7715.pdf |