홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » PSMN130-200D,118

NXP Semiconductors PSMN130-200D,118

PSMN130-200D,118
제조업체 부품 번호
PSMN130-200D,118
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
데이터 시트 다운로드
다운로드
PSMN130-200D,118 가격 및 조달

가능 수량

11050 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 730.63710
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PSMN130-200D,118 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PSMN130-200D,118 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PSMN130-200D,118가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PSMN130-200D,118 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PSMN130-200D,118 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PSMN130-200D,118
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PSMN130-200D
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs130m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs65nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2470pF @ 25V
전력 - 최대150W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
다른 이름568-8114-2
934055761118
PSMN130-200D /T3
PSMN130-200D /T3-ND
PSMN130-200D,118-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PSMN130-200D,118
관련 링크PSMN130-2, PSMN130-200D,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PSMN130-200D,118 의 관련 제품
OSC XO 1.8V 54MHZ OE SIT1602BC-12-18E-54.00000E.pdf
RES SMD 2.8 OHM 1% 1/8W 0805 RC0805FR-072R8L.pdf
XC10H604 ON PLCC XC10H604.pdf
MEGEA88-15AT1 ATMEL QFP MEGEA88-15AT1.pdf
A1837/C4793 TOSHIBA TO220F A1837/C4793.pdf
SSM2019BRNZ LF ADI SMD or Through Hole SSM2019BRNZ LF.pdf
CR7C-44DA-4DS HRS SMD or Through Hole CR7C-44DA-4DS.pdf
85322AMLFT ICS SOP 85322AMLFT.pdf
CM25DY-24 MITSUBISHI SMD or Through Hole CM25DY-24.pdf
THB105-69 SEOUL ROHS THB105-69.pdf
SKT340/08E ORIGINAL SOT SKT340/08E.pdf