창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN017-30BL,118 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN017-30BL | |
| PCN 포장 | Reel Trailer Update 08/May/2015 Reel Trailer Revision 14/Sep/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 552pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 47W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 568-9504-2 934066821118 PSMN01730BL118 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN017-30BL,118 | |
| 관련 링크 | PSMN017-3, PSMN017-30BL,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | IXFA110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | IXFA110N15T2.pdf | |
![]() | MCW0406MD4750BP100 | RES SMD 475 OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD4750BP100.pdf | |
![]() | DDR040UE100TS | DDR040UE100TS MURATA SMD or Through Hole | DDR040UE100TS.pdf | |
![]() | G8P-1C4P DC12 BY O | G8P-1C4P DC12 BY O OMRON SMD or Through Hole | G8P-1C4P DC12 BY O.pdf | |
![]() | AVC165T245 | AVC165T245 TI TSSOP | AVC165T245.pdf | |
![]() | LTM09C035C | LTM09C035C TOSHIBA SMD or Through Hole | LTM09C035C.pdf | |
![]() | RA8870 | RA8870 RAIO QFP | RA8870.pdf | |
![]() | CDRH62B-470M | CDRH62B-470M ORIGINAL SMD | CDRH62B-470M.pdf | |
![]() | MIC25AA080-I/SN | MIC25AA080-I/SN MIC SOP8 | MIC25AA080-I/SN.pdf | |
![]() | HY5V561620BT-7 | HY5V561620BT-7 HYNIX SMD or Through Hole | HY5V561620BT-7.pdf | |
![]() | SAF-C165-LM3V | SAF-C165-LM3V INFINEON SMD or Through Hole | SAF-C165-LM3V.pdf | |
![]() | 469-3 | 469-3 MICROSEMI SMD | 469-3.pdf |