창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PSMN003-30P,127 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PSMN003-30B,30P | |
| PCN 부품 상태 변경 | Mult Device Reactivation 4/Jul/2012 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 170nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 230W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 934056787127 PSMN003-30P PSMN003-30P-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PSMN003-30P,127 | |
| 관련 링크 | PSMN003-3, PSMN003-30P,127 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | RH03A3A15X16A | RH03A3A15X16A ALPS 3X3-100K | RH03A3A15X16A.pdf | |
![]() | 505398000 | 505398000 Molex SMD or Through Hole | 505398000.pdf | |
![]() | SAFC1441M96T-TC05(3 3) 6P | SAFC1441M96T-TC05(3 3) 6P muRata SMD | SAFC1441M96T-TC05(3 3) 6P.pdf | |
![]() | 6253V1.1 | 6253V1.1 ORIGINAL QFN | 6253V1.1.pdf | |
![]() | 2N70L | 2N70L UTC TO-252 | 2N70L.pdf | |
![]() | SPHE8104TW+EN25T80 | SPHE8104TW+EN25T80 SUNPLUS QFP128 | SPHE8104TW+EN25T80.pdf | |
![]() | K4H560838N-LCCC000 | K4H560838N-LCCC000 SAM SMD or Through Hole | K4H560838N-LCCC000.pdf | |
![]() | C3216CH2J391J | C3216CH2J391J TDK SMD or Through Hole | C3216CH2J391J.pdf | |
![]() | HN20525G | HN20525G MINGTEK DIP-20 | HN20525G.pdf | |
![]() | AN8027-P | AN8027-P PANASONIC 9-SIP | AN8027-P.pdf | |
![]() | UUE0120A | UUE0120A ORIGINAL SMD or Through Hole | UUE0120A.pdf | |
![]() | SI8516-C-IM | SI8516-C-IM Silicon SMD or Through Hole | SI8516-C-IM.pdf |