홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PQMD3Z

NXP Semiconductors PQMD3Z

PQMD3Z
제조업체 부품 번호
PQMD3Z
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS NPN/PNP RET 6DFN
데이터 시트 다운로드
다운로드
PQMD3Z 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 67.95360
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PQMD3Z 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PQMD3Z 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PQMD3Z가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PQMD3Z 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PQMD3Z 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PQMD3Z
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PQMD3
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션230MHz, 180MHz
전력 - 최대230mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-XFDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지DFN1010B-6
표준 포장 5,000
다른 이름934069744147
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PQMD3Z
관련 링크PQM, PQMD3Z 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PQMD3Z 의 관련 제품
22.5792MHz ±20ppm 수정 8pF 60옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) CX3225GB22579D0HPQZ1.pdf
RES SMD 475 OHM 1% 1/10W 0402 MCS04020C4750FE000.pdf
RES SMD 383K OHM 0.25% 1/4W 1210 RT1210CRD07383KL.pdf
RES ARRAY 2 RES 1.6K OHM 0606 YC162-FR-071K6L.pdf
RES 47 OHM 5W 1% AXIAL ALSR0547R00FE12.pdf
74ALVC374D ORIGINAL SOP 74ALVC374D.pdf
504222B00000G ATH SMD or Through Hole 504222B00000G.pdf
IDT723642 IDT SMD or Through Hole IDT723642.pdf
S82557-SZ758 INTEL (SOP) S82557-SZ758.pdf
LC867012A-52L3-TLM SANYO BGA LC867012A-52L3-TLM.pdf
CMZ36 TOSHIBA SOD CMZ36.pdf
ADN2844BCP-32 ADI Call ADN2844BCP-32.pdf