창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PMV100ENEAR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PMV100ENEA | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 72m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 460mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-236AB(SOT23) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 934068713215 PMV100ENEAR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PMV100ENEAR | |
| 관련 링크 | PMV100, PMV100ENEAR 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH127/LDNP-151MC | 150µH Shielded Inductor 1.8A 227 mOhm Max Nonstandard | CDRH127/LDNP-151MC.pdf | |
![]() | CRCW12108R25FKTA | RES SMD 8.25 OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12108R25FKTA.pdf | |
![]() | SSM2315CBZ-REEL7 | SSM2315CBZ-REEL7 AD SMD or Through Hole | SSM2315CBZ-REEL7.pdf | |
![]() | 8729DL | 8729DL ORIGINAL DIP14 | 8729DL.pdf | |
![]() | EP3C120F780I7 | EP3C120F780I7 ALTERA BGA780 | EP3C120F780I7.pdf | |
![]() | BB857 TEL:82766440 | BB857 TEL:82766440 INFINEON SOD523 | BB857 TEL:82766440.pdf | |
![]() | FSA2153L6X | FSA2153L6X FAIRCHILD MAC06A | FSA2153L6X.pdf | |
![]() | TDA2582P | TDA2582P PHILIPS DIP | TDA2582P.pdf | |
![]() | GLFR2012T1R0 | GLFR2012T1R0 ORIGINAL SMD or Through Hole | GLFR2012T1R0.pdf | |
![]() | 250-6001-306 | 250-6001-306 AMIS PLCC68 | 250-6001-306.pdf | |
![]() | UPA81C. | UPA81C. NEC DIP16 | UPA81C..pdf | |
![]() | K4S280432ETC75 | K4S280432ETC75 SAM SMD or Through Hole | K4S280432ETC75.pdf |