창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PMA5110XUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PMA51xx | |
카탈로그 페이지 | 727 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | RF/IF 및 RFID | |
제품군 | RF 트랜시버 IC | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SmartLEWIS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | Not For New Designs | |
유형 | TxRx + MCU | |
RF 제품군/표준 | 일반 ISM < 1GHz | |
프로토콜 | - | |
변조 | ASK, FSK | |
주파수 | 315MHz, 434MHz, 868MHz, 915MHz | |
데이터 전송률(최대) | 32kbps | |
전력 - 출력 | 10dBm | |
감도 | - | |
메모리 크기 | 6kB 플래시 12kB ROM, 256B RAM | |
직렬 인터페이스 | I²C, SPI | |
GPIO | 10 | |
전압 - 공급 | 1.9 V ~ 3.6 V | |
전류 - 수신 | - | |
전류 - 전송 | 8.9mA ~ 17.1mA | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
패키지/케이스 | 38-TFSOP(0.173", 4.40mm 폭) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | PMA5110 PMA5110-ND PMA5110INTR PMA5110INTR-ND SP000373573 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PMA5110XUMA1 | |
관련 링크 | PMA5110, PMA5110XUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | GNM314F51H223ZD01D | 0.022µF Isolated Capacitor 4 Array 50V Y5V (F) 1206 (3216 Metric) 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | GNM314F51H223ZD01D.pdf | |
![]() | GRM21BC81C226ME44L | 22µF 16V 세라믹 커패시터 X6S 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM21BC81C226ME44L.pdf | |
![]() | RL1220T-R050-J | RES SMD 0.05 OHM 5% 1/4W 0805 | RL1220T-R050-J.pdf | |
![]() | LSR1020BM1000 | LSR1020BM1000 NEMCO NA | LSR1020BM1000.pdf | |
![]() | 63V/2.2UF | 63V/2.2UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 63V/2.2UF.pdf | |
![]() | S6105PHC-3 | S6105PHC-3 STRETCH BGA | S6105PHC-3.pdf | |
![]() | PCM61P-P | PCM61P-P BB DIP16 | PCM61P-P.pdf | |
![]() | 817FY-470MP3 | 817FY-470MP3 TOKO SMD or Through Hole | 817FY-470MP3.pdf | |
![]() | RN1504 | RN1504 TOSHIBA SMD or Through Hole | RN1504.pdf | |
![]() | GL-DL-T8-120N-05 | GL-DL-T8-120N-05 ORIGINAL SMD or Through Hole | GL-DL-T8-120N-05.pdf | |
![]() | BAV116W-7 (SO) | BAV116W-7 (SO) DIODES 1206 | BAV116W-7 (SO).pdf |