창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PHK5NQ15T,518 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PHK5NQ15T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1150pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 6.25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SO | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 934057307518 PHK5NQ15T /T3 PHK5NQ15T /T3-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PHK5NQ15T,518 | |
| 관련 링크 | PHK5NQ1, PHK5NQ15T,518 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CBR08C708B1GAC | 0.70pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C708B1GAC.pdf | |
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![]() | TNPW2512432KBEEY | RES SMD 432K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512432KBEEY.pdf | |
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![]() | MK2552GSX | MK2552GSX Toshiba SMD or Through Hole | MK2552GSX.pdf | |
![]() | TAS5130D1B(PAS202BCA)29.5/-32 | TAS5130D1B(PAS202BCA)29.5/-32 Tasc clcc | TAS5130D1B(PAS202BCA)29.5/-32.pdf | |
![]() | GS74F08D | GS74F08D GS SOP14 | GS74F08D.pdf | |
![]() | 7M40000053 | 7M40000053 TXC SMD or Through Hole | 7M40000053.pdf | |
![]() | IBD215-DIL | IBD215-DIL WALL DIP24 | IBD215-DIL.pdf | |
![]() | QEDS-9594 | QEDS-9594 Agilent SMD or Through Hole | QEDS-9594.pdf | |
![]() | KDR367-RTK | KDR367-RTK KEC SOD-323 | KDR367-RTK.pdf |