창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHD9NQ20T,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PHD9NQ20T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 959pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 88W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 934055766118 PHD9NQ20T /T3 PHD9NQ20T /T3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PHD9NQ20T,118 | |
관련 링크 | PHD9NQ2, PHD9NQ20T,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | MKP383451160JPM4T0 | 0.51µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 1.181" W (42.00mm x 30.00mm) | MKP383451160JPM4T0.pdf | |
![]() | DDZ9712-7 | DIODE ZENER 28V 500MW SOD123 | DDZ9712-7.pdf | |
![]() | NCP1010AP100G | Converter Offline Flyback Topology 100kHz 7-PDIP | NCP1010AP100G.pdf | |
![]() | LTC1771EMS8/LTKD | LTC1771EMS8/LTKD LT MSOP8 | LTC1771EMS8/LTKD.pdf | |
![]() | DG309DY+ | DG309DY+ Maxim SMD or Through Hole | DG309DY+.pdf | |
![]() | UPD166413 | UPD166413 NEC TO-252-5 | UPD166413.pdf | |
![]() | CC6-1212DF-E | CC6-1212DF-E TDK-Lambda SMD or Through Hole | CC6-1212DF-E.pdf | |
![]() | A623308AM-70SUF | A623308AM-70SUF AMIC SOP-28 | A623308AM-70SUF.pdf | |
![]() | TD020THEG1 | TD020THEG1 CMI SMD or Through Hole | TD020THEG1.pdf | |
![]() | LQG15HS39NJ02 | LQG15HS39NJ02 MURATA SMD or Through Hole | LQG15HS39NJ02.pdf | |
![]() | PC111504T | PC111504T ORIGINAL ZIP15 | PC111504T.pdf |