창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHD97NQ03LT,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PHD97NQ03LT | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | TrenchMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 75A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.3m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.15V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11,7nC(4,5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1570pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 107W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 934061139118 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PHD97NQ03LT,118 | |
관련 링크 | PHD97NQ03, PHD97NQ03LT,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
ST11F10P | ST11F10P IR SMD or Through Hole | ST11F10P.pdf | ||
RJC5163525/33 | RJC5163525/33 MAJOR SMD or Through Hole | RJC5163525/33.pdf | ||
C931000001-01-R | C931000001-01-R ORIGINAL SMD or Through Hole | C931000001-01-R.pdf | ||
DST4-24B18 | DST4-24B18 Pulse 24 VACCT 250mA | DST4-24B18.pdf | ||
OP249AJ/883Q | OP249AJ/883Q AD CAN8 | OP249AJ/883Q.pdf | ||
TKR220NRAE11VA | TKR220NRAE11VA KAIMEI SMD or Through Hole | TKR220NRAE11VA.pdf | ||
MBCG31204-U09ZFV-G | MBCG31204-U09ZFV-G FUJI CQFP | MBCG31204-U09ZFV-G.pdf | ||
S3C2440-40 | S3C2440-40 SAMSUNG BGA | S3C2440-40.pdf | ||
FL12KM-7A | FL12KM-7A ORIGINAL TO-220FN | FL12KM-7A.pdf | ||
A01552 | A01552 ORIGINAL SMD or Through Hole | A01552.pdf | ||
UTC3842(AMS3842) | UTC3842(AMS3842) AMS TO-220F | UTC3842(AMS3842).pdf | ||
MEGA8535-16AU | MEGA8535-16AU NULL DIP | MEGA8535-16AU.pdf |