창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PHC21025,118 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PHC21025 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A, 2.3A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 2.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SO | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 568-11059-2 934034320118 PHC21025 /T3 PHC21025 /T3-ND PHC21025,118-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PHC21025,118 | |
관련 링크 | PHC2102, PHC21025,118 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
RN73C2A82K5BTG | RES SMD 82.5KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A82K5BTG.pdf | ||
MNR14E0APJ222 | RES ARRAY 4 RES 2.2K OHM 1206 | MNR14E0APJ222.pdf | ||
CAT25256VI-G | CAT25256VI-G CATAL SOP-8 | CAT25256VI-G.pdf | ||
400V47UF 1 | 400V47UF 1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 400V47UF 1.pdf | ||
ELM7SU08EL SOT153-E6B | ELM7SU08EL SOT153-E6B SEIKO SMD or Through Hole | ELM7SU08EL SOT153-E6B.pdf | ||
M40PE80VG | M40PE80VG ST QFN | M40PE80VG.pdf | ||
TK10485MTL | TK10485MTL TOKO SOP | TK10485MTL.pdf | ||
PDM20-1 | PDM20-1 ADD-ON SMD or Through Hole | PDM20-1.pdf | ||
AMS3106M1-12PG | AMS3106M1-12PG AMS SOT-23 | AMS3106M1-12PG.pdf | ||
XY8103 | XY8103 GP LQFP80 | XY8103.pdf | ||
ELC11P7R8M | ELC11P7R8M PANASONIC SMD or Through Hole | ELC11P7R8M.pdf | ||
RC2012F8203CS | RC2012F8203CS SAMSUNG SMD or Through Hole | RC2012F8203CS.pdf |