창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PESD15VS2UT,215 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PESD(x)S2UT Series | |
| 제품 교육 모듈 | ESD Protection Diodes ESD Standards and Products | |
| PCN 설계/사양 | Copper Bond Wire 09/Jun/2013 Resin Hardener 02/Jul/2013 Copper Bond Wire 02/Sep/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1506 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 2 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 15V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 17.6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 40V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 160W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 32pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TA) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-23(TO-236AB) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-4030-2 934057611215 PESD15VS2UT T/R PESD15VS2UT T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PESD15VS2UT,215 | |
| 관련 링크 | PESD15VS2, PESD15VS2UT,215 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 1812AC100KAT1A\SB | 10pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812AC100KAT1A\SB.pdf | |
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![]() | TC4014BP | TC4014BP TOSHIBA DIP16 | TC4014BP.pdf | |
![]() | HA12438BFP | HA12438BFP N/A SOP | HA12438BFP.pdf | |
![]() | LTC4266CUHF#PBF | LTC4266CUHF#PBF LINEAR QFN | LTC4266CUHF#PBF.pdf | |
![]() | BL-HG636G-TRB | BL-HG636G-TRB ORIGINAL SMD or Through Hole | BL-HG636G-TRB.pdf | |
![]() | CL02C5R1DO2GNNC | CL02C5R1DO2GNNC SAMSUNG SMD | CL02C5R1DO2GNNC.pdf | |
![]() | RM06FT4220 | RM06FT4220 TAIOHM SMD or Through Hole | RM06FT4220.pdf |