창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PESD15VS2UQ,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | PESDxS2UQ Series | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 회로 보호 | |
| 제품군 | TVS - 다이오드 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | 제너 | |
| 단방향 채널 | 2 | |
| 양방향 채널 | - | |
| 전압 - 역스탠드오프(통상) | 15V(최대) | |
| 전압 - 항복(최소) | 17.6V | |
| 전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 40V | |
| 전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 5A(8/20µs) | |
| 전력 - 피크 펄스 | 150W | |
| 전력선 보호 | 없음 | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 정전 용량 @ 주파수 | 32pF @ 1MHz | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TA) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-663 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-663 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 568-6866-2 934057837115 PESD15VS2UQ T/R PESD15VS2UQ T/R-ND PESD15VS2UQ,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | PESD15VS2UQ,115 | |
| 관련 링크 | PESD15VS2, PESD15VS2UQ,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
| AOZ8915CI-05 | TVS DIODE | AOZ8915CI-05.pdf | ||
![]() | MBR7560 | DIODE SCHOTTKY 60V 75A DO5 | MBR7560.pdf | |
![]() | CP00071K800JE66 | RES 1.8K OHM 7W 5% AXIAL | CP00071K800JE66.pdf | |
![]() | TPS3801K33DCKR G4 | TPS3801K33DCKR G4 TI SC-70-5 | TPS3801K33DCKR G4.pdf | |
![]() | R2B-50V3R3ME3 | R2B-50V3R3ME3 ELNA DIP | R2B-50V3R3ME3.pdf | |
![]() | 1N539B | 1N539B ON DO-201 | 1N539B.pdf | |
![]() | SD103A-35 | SD103A-35 PEC SMD or Through Hole | SD103A-35.pdf | |
![]() | PC68HC705 | PC68HC705 ORIGINAL DIP | PC68HC705.pdf | |
![]() | S-N80 | S-N80 ORIGINAL SMD or Through Hole | S-N80.pdf | |
![]() | F2111BTE10V-H8S | F2111BTE10V-H8S HIT QFP144 | F2111BTE10V-H8S.pdf | |
![]() | L-819SURKMGKW RG | L-819SURKMGKW RG KGB SMD or Through Hole | L-819SURKMGKW RG.pdf |