홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 » PEMD12,115

NXP Semiconductors PEMD12,115

PEMD12,115
제조업체 부품 번호
PEMD12,115
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
데이터 시트 다운로드
다운로드
PEMD12,115 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 45.13355
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 PEMD12,115 재고가 있습니다. 우리는 NXP Semiconductors 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 NXP Semiconductors 전자 부품 전문. PEMD12,115 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. PEMD12,115가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
PEMD12,115 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
PEMD12,115 매개 변수
내부 부품 번호EIS-PEMD12,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서PEMD12,PUMD12
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)47k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)47k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic150mV @ 500µA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)1µA
주파수 - 트랜지션-
전력 - 최대300mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지SOT-666
표준 포장 4,000
다른 이름568-12017-2-ND
934056859115
PEMD12 T/R
PEMD12 T/R-ND
PEMD12,115-ND
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)PEMD12,115
관련 링크PEMD12, PEMD12,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통
PEMD12,115 의 관련 제품
RECT BRIDGE GPP 600V 20A GBJ GBJ2006-F.pdf
DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA CDLL4148.pdf
RES SMD 17.8 OHM 1% 1/4W 1206 ERJ-8ENF17R8V.pdf
RES SMD 5.11KOHM 0.1% 1/10W 0805 RN73A2A5K11BTDF.pdf
47C637N-U715 ORIGINAL DIP-42 47C637N-U715.pdf
DCRO128177-9 SYNERGY SMD or Through Hole DCRO128177-9.pdf
BA3308/KA22241 ROHM SIP9 BA3308/KA22241.pdf
QS3384QK IDT SOP QS3384QK.pdf
CM1533-B030SF-E N/A TRAY CM1533-B030SF-E.pdf
CPH3102 SANYO SOT-23 CPH3102.pdf
MT46V32M16TGTF MICROM SOP MT46V32M16TGTF.pdf