창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-PEI 2E222 J | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | PEI 2E222 J | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | PEI 2E222 J | |
| 관련 링크 | PEI 2E2, PEI 2E222 J 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | CA-301 10.0000M-C:PBFREE | 10MHz ±30ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 원통형 캔, 레이디얼 | CA-301 10.0000M-C:PBFREE.pdf | |
![]() | 1782-61F | 51µH Unshielded Molded Inductor 100mA 5.7 Ohm Max Axial | 1782-61F.pdf | |
![]() | ON3615E-R58 | RES 360 OHM 2W 5% AXIAL | ON3615E-R58.pdf | |
![]() | MAX6613MXK/V+T | SENSOR TEMP ANLG VOLT SC-70-5 | MAX6613MXK/V+T.pdf | |
![]() | NAND256R4M3 | NAND256R4M3 INTEL BGA | NAND256R4M3.pdf | |
![]() | REF3233AIDBVRG4 | REF3233AIDBVRG4 TI SOT-23-6 | REF3233AIDBVRG4.pdf | |
![]() | MAB3045SC | MAB3045SC FUJITSU SMD or Through Hole | MAB3045SC.pdf | |
![]() | B82479-G1104-M | B82479-G1104-M EPCOS SMD | B82479-G1104-M.pdf | |
![]() | M68235-22 | M68235-22 MIT SMD or Through Hole | M68235-22.pdf | |
![]() | CS3610 | CS3610 ORIGINAL SMD or Through Hole | CS3610.pdf | |
![]() | STK4204 | STK4204 SANYO ZIP | STK4204.pdf | |
![]() | FS6M07652RTCYDT | FS6M07652RTCYDT Fairchild SMD or Through Hole | FS6M07652RTCYDT.pdf |