창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDZ9.1B,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PDZ-B Series | |
PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11262-2 934054858115 PDZ9.1B T/R PDZ9.1B T/R-ND PDZ9.1B,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDZ9.1B,115 | |
관련 링크 | PDZ9.1, PDZ9.1B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
CGA5H2X8R2A104M115AE | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5H2X8R2A104M115AE.pdf | ||
V250LC40CP | VARISTOR 390V 10KA DISC 20MM | V250LC40CP.pdf | ||
SIT1602ACA8-28S | 3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 4.5mA Standby | SIT1602ACA8-28S.pdf | ||
TE2000B1K2J | RES CHAS MNT 1.2K OHM 5% 2000W | TE2000B1K2J.pdf | ||
R1610G-8A1-B504-0H03 | R1610G-8A1-B504-0H03 HT SMD or Through Hole | R1610G-8A1-B504-0H03.pdf | ||
SS12D00G3 | SS12D00G3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SS12D00G3.pdf | ||
55359-5021 | 55359-5021 MOLEX SMD or Through Hole | 55359-5021.pdf | ||
FC116N2 | FC116N2 ORIGINAL SMD or Through Hole | FC116N2.pdf | ||
PRC211100K/150M | PRC211100K/150M ORIGINAL SMD | PRC211100K/150M.pdf | ||
EP20K160EFI4842X | EP20K160EFI4842X ALT SMD or Through Hole | EP20K160EFI4842X.pdf | ||
SSC9101 | SSC9101 PBF DIP | SSC9101.pdf | ||
V59C1G01168QBJ25- | V59C1G01168QBJ25- PROMOS BGA | V59C1G01168QBJ25-.pdf |