창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-PDZ9.1B,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | PDZ-B Series | |
PCN 조립/원산지 | Carrier Tape Design Chg 03/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 100mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-11262-2 934054858115 PDZ9.1B T/R PDZ9.1B T/R-ND PDZ9.1B,115-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | PDZ9.1B,115 | |
관련 링크 | PDZ9.1, PDZ9.1B,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
CGA2B2X8R1H332M050BA | 3300pF 50V 세라믹 커패시터 X8R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B2X8R1H332M050BA.pdf | ||
RCP1206W30R0GEB | RES SMD 30 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W30R0GEB.pdf | ||
PEF22622HV1.3 | PEF22622HV1.3 Infineon TQFP | PEF22622HV1.3.pdf | ||
2SC3299 | 2SC3299 ORIGINAL 2-10L1A | 2SC3299.pdf | ||
1210ML180A | 1210ML180A SFI SMD or Through Hole | 1210ML180A.pdf | ||
DS8T26AN | DS8T26AN NS DIP-16 | DS8T26AN.pdf | ||
MAX3481CSA | MAX3481CSA MAXIM SOP8 | MAX3481CSA.pdf | ||
S-6 | S-6 SMC SMD or Through Hole | S-6.pdf | ||
0603-105K25V | 0603-105K25V ORIGINAL SMD or Through Hole | 0603-105K25V.pdf | ||
EDD2504AKTA-7A-E | EDD2504AKTA-7A-E ELPIDA SMD or Through Hole | EDD2504AKTA-7A-E.pdf | ||
SI9426DY-T1-GE3 | SI9426DY-T1-GE3 VISHAY SOP-8 | SI9426DY-T1-GE3.pdf | ||
DQMD5661DTLA | DQMD5661DTLA INTEL SMD or Through Hole | DQMD5661DTLA.pdf |